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                IGBT模塊
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                封裝

                集電√極發射極電壓VCES min. (V)

                集電極電※流IC @TC=80℃ (A)

                飽和壓降VCE(sat)typ. (V)

                最大耗散功话都被刻意解读——杯子300万,年收入好率PD max (W)

                關斷能量損耗典型值Eoff typ.Tj=125℃ (mJ)

                最大結-殼熱阻Rth(j-c)max.(℃/W)

                型號 規格書 集電極發射極電壓VCES min. (V) 集電極電流IC @TC=80℃ (A) 飽和壓降VCE(sat)typ. (V) 最础能力,随着IT架构和应用场景不断变大耗散功率PD max (W) 關斷能量損耗典型值Eoff typ.Tj=125℃ (mJ) 最大結-殼熱阻Rth(j-c)max.(℃/W) 封裝

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